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膜電極熱壓成型技術(shù)探究

發(fā)布時(shí)間：2024-10-23T08:11:25更新時(shí)間：2024-10-23T08:11:24 瀏覽量：133
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膜電極熱壓成型技術(shù)探究


膜電極熱壓成型技術(shù)探究


膜電極熱壓成型技術(shù)是一種較新的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，也稱作 FC-BGA（Flip-Chip Ball Grid Array）技術(shù)。它是將銅箔電極和封裝介質(zhì)通過(guò)高溫高壓熱壓鑄造一體化的方法來(lái)制造芯片封裝結(jié)構(gòu)。本文將介紹膜電極熱壓成型技術(shù)的原理，制造方法及其優(yōu)缺點(diǎn)。

原理

膜電極熱壓成型技術(shù)是通過(guò)將銅箔電極壓在封裝介質(zhì)表面，使得電極和介質(zhì)之間形成密實(shí)的金屬結(jié)合層，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)芯片與電路板之間的電連接。整個(gè)過(guò)程包括：準(zhǔn)備好銅箔電極和封裝介質(zhì)，把電極放入介質(zhì)上，用高溫高壓的方式加以熱壓，最終形成一顆膜電極芯片。

制造方法
  1. 原材料準(zhǔn)備：準(zhǔn)備好封裝介質(zhì)和銅箔電極。
  2. 膜電極準(zhǔn)備：將銅箔電極倒在介質(zhì)上，并用翻轉(zhuǎn)式光刻技術(shù)制作電極圖形，使電極與介質(zhì)緊密貼合。
  3. 熱壓成型：將銅箔電極與介質(zhì)送入內(nèi)進(jìn)行加熱和高壓處理，形成密實(shí)的金屬結(jié)合層。
  4. 后處理：通過(guò)蝕刻和封裝等工藝，最終生產(chǎn)出膜電極芯片。
優(yōu)缺點(diǎn)

膜電極熱壓成型技術(shù)優(yōu)點(diǎn)明顯。該技術(shù)可以在小尺寸封裝中獲得高密度電路，提高芯片的電功能性能。使用接觸點(diǎn)的數(shù)量增加，連接電場(chǎng)分布縮短，可以實(shí)現(xiàn)更高的整體帶寬性能。對(duì)于一小塊芯片設(shè)備，薄膜電極熱壓成型技術(shù)消除了引線間隔和結(jié)構(gòu)特征縮減的限制，縮短了該設(shè)備內(nèi)部的電路長(zhǎng)度，從而提高了芯片的信噪比和靈敏度。該技術(shù)也存在一些缺點(diǎn)，其中一個(gè)主要限制因素是介質(zhì)成本昂貴，其次是其制造成本要比其他技術(shù)更高。

膜電極熱壓成型技術(shù)是一種高效的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，其特點(diǎn)是高密度、高速度和超高可靠性，減小了封裝晶元的體積，優(yōu)化了封裝結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能，為新一代微電子器件的快速發(fā)展提供了有力支持。銀通機(jī)械是一家專業(yè)生產(chǎn)真空熱壓機(jī)和平板硫化機(jī)的公司。我們的設(shè)備采用先進(jìn)的技術(shù)，具有穩(wěn)定的性能和高效的生產(chǎn)能力。如果您正在尋找可靠的真空熱壓機(jī)供應(yīng)商，銀通機(jī)械將會(huì)是您的最佳選擇。


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